NCV57256DR2G

NCV57256DR2G oferă o capacitate excelentă a curentului de vârf de ieșire, configurabilitate pentru operarea driverului pe partea joasă, pe partea înaltă sau pe jumătate de punte și control programabil de suprapunere sau timp mort pentru comutare precisă. Configurare simplificată pe jumătate de punte cu pin de dezactivare pentru secvențierea puterii și funcționalitate ANB pentru secvențierea puterii, îmbunătățind controlul și securitatea sistemului. În plus, oferă prinderea porții IGBT/MOSFET în timpul scurtcircuitului, asigurând protecția dispozitivului. Driverul are o întârziere scurtă de propagare, un prag UVLO strâns și o izolare galvanică puternică, ceea ce îl face potrivit pentru utilizare cu NCV57256DR2G. Este calificat AEC-Q100 pentru utilizare în automobile și ecologic, conform RoHS. Per total, NCV57256DR2G combină puterea și precizia, făcându-l o alegere excelentă pentru o varietate de aplicații electronice de putere.

• Încărcătoare EV

• Controlul motorului

• Surse de alimentare neîntreruptibilă (UPS)

• Surse de alimentare industriale

• Invertoare solare

• Aplicații auto

NCx5725y sunt drivere de poartă IGBT/MOSFET izolate cu două canale de curent ridicat, cu izolație galvanică internă de 2,5 sau 5 kVrms* de la intrare la fiecare ieșire și izolație funcțională între cele două canale de ieșire. Dispozitivul acceptă tensiune de polarizare de 3,3 V până la 20 V și niveluri de semnal pe partea de intrare și tensiune de polarizare de până la 32 V pe partea de ieșire. Dispozitivul acceptă intrări complementare și oferă pini separati pentru controlul dezactivare și timp mort pentru confortul proiectării sistemului. Driverele sunt disponibile în pachetul SOIC-16 cu corp largă și SOIC-16 cu corp îngust.

Tag-uri populare: ncv57256dr2g, China ncv57256dr2g producători, furnizori